[发明专利]一种金属钨表面纳米化的装置及其方法有效
| 申请号： | 201810284931.7 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108456854B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 胡殷;龙重;朱康伟;陈林;刘天伟;邢颖;高博;徐海燕;王文渊;孟宪东 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院材料研究所 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/02;C23C14/16;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 | 代理人： | 张鸣洁 |
| 地址： | 621700 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属钨表面纳米化的装置及其方法，是采用设置有小孔的钨筒作为空心阴极装置，形成空心阴极效应，离化氦气，并获得低电压、大电流的氦等离子体，并使氦离子轰击作用于钨样品表面，通过空心阴极效应在5min钟内迅速升高样品温度到1600K以上。在注入一定剂量的氦离子后，可在钨表面获得与基体紧密连接的纳米结构。本发明提供了一种金属钨表面纳米化的装置及其方法装置简便、成本低廉，工艺简单、生产效率高，可以在金属钨表面形成均匀一致、与基体紧密连接的纳米结构生长层，提供了一种解决钨表面纳米化的全新途径，可进一步处理获得用于制备分解水的光催化材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 表面 纳米 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属钨表面纳米化的装置，包括0真空室（1）、放置在真空室（1）内的样品台（2）以及放置在样品台（2）上的空心阴极装置和金属钨片（8），所述真空室（1）外接真空系统（3）、进气系统（4）和流量计（5），其特征在于：所述空心阴极装置为设置有小孔的钨筒（6），所述钨筒（6）上覆盖有待纳米化的金属钨片（8）；所述钨筒（6）外接脉冲偏压电源（9）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院材料研究所，未经中国工程物理研究院材料研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810284931.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
