[发明专利]SiC单晶的制造方法在审
| 申请号： | 201810285275.2 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN108286075A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 野村忠雄;山形则男;美浓轮武久 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B11/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC单晶的制造方法。该方法包括：在石墨坩锅内的底部放置SiC籽晶；使包含Si、C和R(R是选自包含Sc和Y的稀土元素中的至少一种)或X(X是选自Al、Ge、Sn和不包括Sc和Y的过渡金属中的至少一种)的溶液存在于石墨坩埚中；将溶液过冷以使得SiC单晶在籽晶上生长；从石墨坩锅上方将粉末状或者粒状Si和/或SiC原料加入到溶液中，同时保持SiC单晶的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶 石墨坩锅 籽晶 过渡金属 石墨坩埚 稀土元素 生长 过冷 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造SiC单晶的方法，包括：将SiC籽晶放置在石墨坩锅内的底部；使含有Si、C和R的溶液存在于石墨坩埚中，R是选自La、Ce、Pr、Nd、Gd和Dy中的至少一种；将溶液过冷以使SiC单晶在籽晶上生长；并且在保持SiC单晶的生长的同时，从石墨坩锅上方向溶液添加对应于溶液中的组成变化的粉末状或粒状Si或者Si和SiC原料从而将溶液保持在特定组成范围内，其中如此控制向溶液加入的粉末状或粒状Si或者Si和SiC原料的量，使得在SiC单晶生长期间溶液中R与Si的重量WSi和R的重量WR的总和的重量比[WR/(WSi+WR)]在0.05‑0.75的范围内，并且使得在SiC单晶生长期间溶液中R的重量比与初始装入石墨坩埚中的溶液的原料组成中R的重量比的差值不超过±0.1，其中在放置石墨坩埚的炉内保持真空或惰性气体气氛，在该炉内提供温度沿着向下的方向连续降低的温度梯度区，并且使石墨坩埚在温度梯度区中下降以使得SiC单晶在籽晶上生长。
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