[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法,以及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201810285306.4 申请日: 2010-02-10
公开(公告)号: CN108447775B 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 今藤敏和;岸田英幸 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/477;H01L27/12;H01L29/24;H01L29/45;H01L29/49;H01L29/786
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 刘倜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中,在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的中央部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此,可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。
搜索关键词: 薄膜晶体管 及其 制造 方法 以及 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,包括如下步骤:在衬底上形成包含铜的栅电极;在所述栅电极上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体膜;在所述氧化物半导体膜上形成包含钛的导电层;以及进行热处理,从而使得所述氧化物半导体膜中的氧扩散到所述导电层中。
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