[发明专利]一种具有双极应力的绝缘体上硅结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201810286263.1 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN108511395B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 马雁飞;王昌锋;廖端泉 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L27/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 徐伟
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种具有双极应力的绝缘体上硅结构及其制造方法,制造方法包括:提供复合衬底,复合衬底由下至上依次具有硅基体层、掩埋氧化物层和绝缘体上硅层;在绝缘体上硅层上表面外延生长硅锗层;沉积硬掩膜层以覆盖硅锗层对应N型MOS管区域的部分;沉积表面氧化物层以覆盖硅锗层和硬掩膜层;进行高温退火处理,以使绝缘体上硅层对应P型MOS管区域的部分转化为绝缘体上硅锗层,对应N型MOS管区域的部分转化为拉应力绝缘体上硅层;以及去除绝缘体上硅锗层和拉应力绝缘体上硅层表面多余的硅锗层、硬掩膜层和表面氧化物层。本发明所提供的制造方法步骤简单,所制造的器件电特性良好。
搜索关键词: 一种 具有 应力 绝缘体 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
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