[发明专利]一种具有双极应力的绝缘体上硅结构及其制造方法有效
申请号: | 201810286263.1 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108511395B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 马雁飞;王昌锋;廖端泉 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种具有双极应力的绝缘体上硅结构及其制造方法,制造方法包括:提供复合衬底,复合衬底由下至上依次具有硅基体层、掩埋氧化物层和绝缘体上硅层;在绝缘体上硅层上表面外延生长硅锗层;沉积硬掩膜层以覆盖硅锗层对应N型MOS管区域的部分;沉积表面氧化物层以覆盖硅锗层和硬掩膜层;进行高温退火处理,以使绝缘体上硅层对应P型MOS管区域的部分转化为绝缘体上硅锗层,对应N型MOS管区域的部分转化为拉应力绝缘体上硅层;以及去除绝缘体上硅锗层和拉应力绝缘体上硅层表面多余的硅锗层、硬掩膜层和表面氧化物层。本发明所提供的制造方法步骤简单,所制造的器件电特性良好。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 应力 绝缘体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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