[发明专利]一种双极性/无极性可逆互转型阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810286401.6 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110071215B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 徐海阳;赵晓宁;范泽莹;王中强;马剑钢;刘益春 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京神州华茂知识产权有限公司 11358 | 代理人： | 吴照幸 |
| 地址： | 130024 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及本发明的一种双极性/无极性可逆互转型阻变存储器及其制备方法，包括SiO2衬底，设置于SiO2衬底上的惰性金属底电极，设置于底电极上的MoS2阻变介质层，设置于MoS2阻变介质层上的活性金属顶电极。本发明解决现有阻变存储器只能实现双极性与单极性永久互转的问题，进而拓展器件在高密度存储领域应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 可逆 转型 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极性/无极性可逆互转型阻变存储器，其特征在于：包括SiO2衬底，设置于SiO2衬底上的惰性金属底电极，设置于底电极上的MoS2阻变介质层，设置于MoS2阻变介质层上的活性金属顶电极。
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