[发明专利]基板处理装置以及包括基板处理装置的基板处理系统在审
| 申请号： | 201810286570.X | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108695205A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 渡边和英;小畠严贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 张丽颖 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够尽可能不产生催化剂的机械劣化的基板处理装置以及包括基板处理装置的基板处理系统。提供一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使催化剂与基板靠近或接触，从而对基板的被处理区域进行蚀刻，该基板处理装置具有：用于保持基板的基板保持部；以及用于保持催化剂的催化剂保持部，所述催化剂保持部具有：高刚性的基部板；与所述基部板相邻配置的压电元件；与所述压电元件相邻配置的高刚性的催化剂保持基部；以及保持于所述催化剂保持基部的催化剂、所述基板处理装置还具有用于控制向所述压电元件施加的驱动电压的控制装置。 | ||
| 搜索关键词： | 基板处理装置 催化剂 压电元件 基板处理系统 相邻配置 高刚性 基部板 基板 基部 蚀刻 基板保持部 处理区域 控制装置 驱动电压 处理液 对基板 劣化 施加 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，该基板处理装置用于在处理液的存在下使催化剂与基板靠近或接触，从而对基板的被处理区域进行蚀刻，所述基板处理装置的特征在于，具有：用于保持基板的基板保持部；以及用于保持催化剂的催化剂保持部，所述催化剂保持部具有：高刚性的基部板；与所述基部板相邻配置的压电元件；与所述压电元件相邻配置的高刚性的催化剂保持基部；以及保持于所述催化剂保持基部的催化剂，所述基板处理装置还具有用于控制向所述压电元件施加的驱动电压的控制装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
