[发明专利]α源核电池半导体材料的辐射损伤防护方法在审
| 申请号： | 201810286872.7 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108399961A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 郑人洲;刘玉敏;陆景彬;许旭;李潇祎;何瑞 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | G21H1/04 | 分类号： | G21H1/04 |
| 代理公司： | 长春市恒誉专利代理事务所(普通合伙) 22212 | 代理人： | 李荣武 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于核能利用技术领域的α源核电池半导体材料的辐射损伤防护方法。该辐射损伤防护方法主要包括：在α源(1)与半导体材料(2)之间加入防护层(3)，降低单个α粒子的能量；采用高原子质量的半导体材料(2)，减弱其与α粒子碰撞时因晶格原子位移所形成的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 辐射损伤防护 核电池 核能利用 晶格原子 粒子碰撞 防护层 粒子 | ||
【主权项】：
1.α源核电池半导体材料的辐射损伤防护方法，其特征在于，主要包括：在α源(1)与半导体材料(2)之间加入防护层(3)，降低单个α粒子的能量；采用高原子质量的半导体材料(2)，减弱其与α粒子碰撞时因晶格原子位移所形成的缺陷；电池外壳(4)将整个装置包裹起来。
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