[发明专利]一种高频高性能声表面波器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810288040.9 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108493325A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 潘峰;傅肃磊;曾飞;王为标;李起;宋成;沈君尧 | 申请（专利权）人： | 清华大学;无锡市好达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/047 | 分类号： | H01L41/047;H01L41/18;H01L41/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅;王春霞 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高频高性能声表面波器件及其制备方法。所述声表面波器件包括依次叠加的碳化硅单晶衬底、压电薄膜和叉指电极；压电薄膜为钽酸锂单晶薄膜或铌酸锂单晶薄膜；碳化硅单晶衬底为4H‑SiC单晶基片、6H‑SiC单晶基片、3C‑SiC单晶基片或3C‑SiC外延单晶基片。碳化硅单晶基片具有较高的声速、优良的热稳定性和化学稳定性和高热导率；钽酸锂或铌酸锂压电单晶薄膜的晶体质量高、一致性好、传播损耗小，采用叉指电极/钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜/碳化硅单晶衬底结构形式的声表面波器件，具有较高的中心频率、高的功率耐受性、小的温度系数，在移动通讯领域有巨大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 声表面波器件 碳化硅单晶 薄膜 单晶基片 铌酸锂单晶 叉指电极 压电薄膜 钽酸锂 衬底 制备 移动通讯领域 化学稳定性 钽酸锂单晶 衬底结构 传播损耗 高热导率 功率耐受 热稳定性 外延单晶 温度系数 压电单晶 一致性好 依次叠加 中心频率 铌酸锂 应用 | ||
【主权项】：
1.一种声表面波器件，包括依次叠加的碳化硅单晶衬底、压电薄膜和叉指电极；所述压电薄膜为钽酸锂单晶薄膜或铌酸锂单晶薄膜。
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