[发明专利]以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法有效
| 申请号： | 201810288366.1 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108565337B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 徐文彬;李明逵 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 尹均利 |
| 地址： | 361000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，包括以下步骤：1)制作层叠设置的底电极和阻变材料层，其中底电极在阻变材料层的下方；2)在阻变材料层的上表面制备单层或多层纳米遮蔽层，所述纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙，所述纳米尺寸间隙的密度与等离子处理工艺参数相匹配，使得所述纳米尺寸间隙形成供等离子处理时，经由表面等离子处理产生的离子流作用的定位通道；3)对纳米遮蔽层阵列中纳米间隙下的阻变材料层进行表面等离子定位处理及氧空位活化处理，在阻变材料层中形成以氧空位为基础的导电丝，所述导电丝沿着阻变材料层的厚度方向延伸，连接阻变存储器的顶电极和底电极。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 遮蔽 进行 定位 等离子 处理 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.以纳米遮蔽层进行定位等离子处理的阻变存储器制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)制作层叠设置的底电极和阻变材料层，其中底电极在阻变材料层的下方；2)在阻变材料层的上表面制备一层纳米遮蔽层，所述纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙，所述纳米尺寸间隙的密度与等离子处理工艺参数相匹配，使得所述纳米尺寸间隙形成供等离子处理时，经由表面等离子处理产生的离子流作用的定位通道；3)对纳米遮蔽层阵列中纳米间隙下的阻变材料层进行外部表面氩气等离子处理，形成沿阻变材料层厚度方向延伸的氧空位聚集作用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于集美大学，未经集美大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810288366.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种BiFeO
- 下一篇：一种局域电场增强忆阻器及其制备方法
