[发明专利]一种高储能密度聚合物复合电介质材料的制备方法在审
| 申请号： | 201810289590.2 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108546415A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 张全平;孙囡;周元林;朱文凡;梁东明 | 申请（专利权）人： | 西南科技大学 |
| 主分类号： | C08L83/10 | 分类号： | C08L83/10;C08K9/02;C08K9/06;C08K3/24;C08K3/36;C08K5/37;C08K3/22;C08K5/14 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 621010 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于新材料制备领域，公开了一种高储能密度聚合物复合电介质材料的制备方法，综合考虑了聚合物复合电介质材料的介电常数、介电损耗及击穿强度等的影响因素，能够有效地体现介电陶瓷的高介电常数和聚合物的高击穿强度与低介电损耗，获得高储能密度的聚合物复合电介质材料，采用本发明制备的聚合物复合电介质材料，频率为一兆赫兹条件下材料的介电常数为200，介电损耗为0.012；材料的击穿强度为122kV/mm‑1，10kV/mm‑1条件下储能密度为36J/cm3。本发明操作简便、工艺稳定、成本低廉，具有很好的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 复合电介质材料 聚合物 制备 高储能 击穿 密度聚合物 介电常数 介电损耗 低介电损耗 高介电常数 工艺稳定 介电陶瓷 影响因素 综合考虑 有效地 储能 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高储能密度聚合物复合电介质材料的制备方法，其特征在于，所述高储能密度聚合物复合电介质材料的制备方法包括以下步骤：步骤一，将介电陶瓷颗粒分散到双氧水溶液中，加热，超声并搅拌，离心分离，真空干燥，获得表面羟基化介电陶瓷颗粒；步骤二，将羟基化介电陶瓷颗粒分散到含有硅烷偶联剂的甲苯溶液中，加热，搅拌，离心分离，真空干燥，获得表面官能团修饰介电陶瓷颗粒；步骤三，将表面官能团修饰介电陶瓷颗粒分散于甲苯溶液，并加入聚硅氧烷、交联剂及催化剂，高速搅拌，真空干燥；步骤四，将步骤三所得的混合物压制成块状样品，绝氧加热处理，即制得。
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