[发明专利]大偏振消光比微纳光纤耦合超导纳米线单光子探测器在审

专利信息
申请号: 201810289843.6 申请日: 2018-04-03
公开(公告)号: CN110350077A 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 侯昕彤;尤立星;李浩;王镇 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L39/02 分类号: H01L39/02;H01L39/12;H01L39/24
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种大偏振消光比微纳光纤耦合超导纳米线单光子探测器,包括:衬底;超导纳米线,位于所述衬底的表面;微纳光纤,位于所述衬底上,且横跨所述超导纳米线;光学胶,位于所述衬底上,且固化包覆于所述超导纳米线及所述微纳光纤的外围;所述光学胶具有预设折射率范围,以使得所述微纳光纤内的入射光中TM模式的入射光被截止,而TE模式的入射光被允许通过。本发明的探测器对TE模式的入射光的吸收率远大于TM模式,因此对TE模式入射光的探测效率也会远大于TM模式,从而使其具有较大的偏振消光比;此外,本发明的探测器无需光栅滤光,结构简单、制备工艺简洁、入射光损耗小及探测效率高等优点。
搜索关键词: 入射光 超导纳米线 微纳光纤 衬底 偏振消光比 单光子探测器 探测效率 耦合 光学胶 探测器 吸收率 光栅滤光 制备工艺 折射率 包覆 预设 固化 横跨 截止 外围
【主权项】:
1.一种大偏振消光比微纳光纤耦合超导纳米线单光子探测器,其特征在于,所述大偏振消光比微纳光纤耦合超导纳米线单光子探测器包括:衬底;超导纳米线,位于所述衬底的表面;微纳光纤,位于所述衬底上,且横跨所述超导纳米线;光学胶,位于所述衬底上,且固化包覆于所述超导纳米线及所述微纳光纤的外围;所述光学胶具有预设折射率范围,以使得所述微纳光纤内的入射光中TM模式的入射光被截止,而TE模式的入射光被允许通过。
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