[发明专利]以纳米遮蔽层进行离子定位注入的阻变存储器制备方法有效
| 申请号： | 201810290070.3 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108389964B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 李明逵;徐文彬 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 杨依展;张迪 |
| 地址： | 361000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了以纳米遮蔽层进行离子定位注入的阻变存储器制备方法，包括以下步骤：1)制作层叠设置的底电极和阻变材料层，其中底电极在阻变材料层的下方；2)在阻变材料层的上表面制备一层纳米遮蔽层，所述纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙，形成供离子注入的定位通道；3)对纳米遮蔽层阵列中纳米间隙下的阻变材料层进行外部金属离子注入处理，在阻变材料层中形成以氧空位为基础的导电丝，所述导电丝沿着阻变材料层的厚度方向延伸，连接阻变存储器的顶电极和底电极。本发明提供了一种兼具较高开关阻值比和良好稳定性的阻变存储器制备方案，力求从工艺层面上改善阻变存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 遮蔽 进行 离子 定位 注入 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.以纳米遮蔽层进行离子定位注入的阻变存储器制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)制作层叠设置的底电极和阻变材料层，其中底电极在阻变材料层的下方；2)在阻变材料层的上表面制备一层纳米遮蔽层，所述纳米遮蔽层中具有层阵列设置的纳米尺寸间隙，形成供离子注入的定位通道；3)对纳米遮蔽层阵列中纳米间隙下的阻变材料层进行外部金属离子注入处理，产生沿厚度方向延伸的氧空位聚集分布。
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