[发明专利]一种CMP工艺仿真方法和系统有效
| 申请号： | 201810290687.5 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108491662B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;陈岚;杨飞;刘建云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵秀芹;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种CMP工艺仿真方法和系统，该方法根据研磨材质表面受到的接触应力、研磨垫与研磨材质间的流体动压、研磨液各组分在研磨材质表面的浓度分布以及研磨去除率计算模型，获取研磨去除率。其中，研磨去除率计算模型是综合研磨液与研磨材质间化学反应、界面接触作用、研磨液流动润滑作用和传质的多体协同耦合去除作用构建得到的，因此，该CMP工艺仿真方法充分考虑了CMP过程中研磨垫与研磨材质之间的多物理耦合作用对研磨材质表面平坦性的影响，因此，该CMP工艺方法能够真实模拟CMP工艺过程，进而能够指导CMP工艺参数和可制造性设计优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmp 工艺 仿真 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种CMP工艺仿真方法，其特征在于，包括：获取研磨液各组分初始浓度、研磨材质参数、研磨垫参数、研磨粒子参数、研磨液参数、CMP工艺参数以及研磨参数；根据研磨垫参数、研磨材质参数、研磨粒子参数和CMP工艺参数以及研磨材质表面受到的接触应力模型，计算研磨材质表面受到的接触应力；根据所述CMP工艺参数、研磨液参数、液膜厚度以及研磨垫和研磨材质间流体动压模型，计算研磨垫与研磨材质间的流体动压；根据所述研磨材质表面受到的接触应力、研磨垫参数、CMP工艺参数、研磨参数以及流固耦合模型，更新计算液膜厚度；根据研磨液各组分初始浓度以及研磨液各组分在研磨材质表面的浓度分布模型计算研磨液各组分在研磨材质表面的浓度分布；根据研磨材质表面受到的接触应力、研磨垫与研磨材质间的流体动压、研磨液各组分在研磨材质表面的浓度分布以及研磨去除率计算模型，获取研磨去除率；所述研磨去除率计算模型是综合研磨液与研磨材质间化学反应、界面接触作用、研磨液流动润滑作用和传质的多体协同耦合去除作用构建得到的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810290687.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
