[发明专利]基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201810290740.1 | 申请日： | 2018-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN108511519B | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 任天令;田禾;吴凡;王雪峰;杨轶 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管，包括：衬底、第一电极、第二电极、阻变层、二维薄膜、背栅控制信号装置及源漏信号输入装置。本发明实施例还提供了一种基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管的制备方法，用来制备所述基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管。本发明可以实现场效应晶体管的超陡亚阈值摆幅效果。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 二维 薄膜 超陡亚 阈值 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底、第一电极、第二电极、阻变层、二维薄膜、背栅控制信号装置及源漏信号输入装置；所述衬底，一端连接所述背栅控制信号装置，另一端连接所述二维薄膜，用于为所述第一电极、第二电极及阻变层提供支撑保护作用；所述第一电极，一端与所述二维薄膜连接，另一端与所述背栅控制信号装置及源漏信号输入装置连接，用于导电以完成电流输送；所述第二电极，一端与所述阻变层连接，另一端与所述源漏信号输入装置连接，用于导电以完成电流输送；所述阻变层，一端与所述二维薄膜连接，另一端与所述第二电极连接，用于形成导电细丝以完成阻抗的变化；所述二维薄膜，一端与所述衬底连接，另一端与所述阻变层连接，用于调控所述阻变层的通断；所述背栅控制信号装置，一端与所述源漏信号输入装置及第一电极连接，另一端与所述衬底连接，用于控制基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管的通断；所述源漏信号输入装置，一端与所述第二电极连接，另一端与所述第一电极及背栅控制信号装置连接，用于控制亚阈值摆幅及基于二维薄膜的超陡亚阈值摆幅场效应晶体管的阈值电压。
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