[发明专利]具有栓塞的半导体器件有效
| 申请号： | 201810291816.2 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN108511416B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;李够生 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有栓塞的半导体器件，包括半导体衬底，在衬底表面形成介质层，介质层具有连通至衬底表面的孔洞以及第一平坦面，孔洞的开口暴露于第一平坦面；导电栓塞填充在孔洞中，导电栓塞为由第一导电层构成的均质实心体，导电栓塞具有第二平坦面，第二平坦面无凹陷且填满孔洞的开口，第二平坦面与第一平坦面在同一平面；阻挡层设置在孔洞表面与导电栓塞之间；第二导电层设置于衬底在孔洞底部的表面与孔洞底部的阻挡层之间；阻挡层具有环缘，显露于孔洞的开口中且在第一平坦面与第二平坦面之间，第二平坦面经由环缘与第一平坦面形成在一连续表面中。本发明半导体器件的导电栓塞具有无空隙、电阻低、可靠性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦面 孔洞 导电栓塞 阻挡层 半导体器件 开口 衬底表面 介质层 栓塞 衬底 环缘 发明半导体器件 第二导电层 第一导电层 孔洞表面 连续表面 实心体 无空隙 凹陷 电阻 均质 填满 半导体 连通 填充 显露 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种具有栓塞的半导体器件，其特征在于，包括：衬底；介质层，形成于所述衬底的表面，所述介质层具有连通至所述衬底表面的孔洞，所述介质层的下部形成保留层部，所述介质层的上部形成牺牲层部，所述孔洞的开口处形成扩孔斜面；第一导电层，形成于所述牺牲层部的表面，所述第一导电层具有填充在所述孔洞中的栓塞部，所述栓塞部具有空隙，所述空隙的下端部不超过牺牲层部的厚度界定范围，所述空隙的上端部不超过所述第一导电层的形成表面。
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