[发明专利]一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用有效
| 申请号： | 201810293001.8 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108546929B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 谢贵柏;苗光辉;许建丽;杨晶;崔万照;张洪太;于洪喜;王新波;何鋆 | 申请（专利权）人： | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455;C23C16/02;C23C16/50 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 范晓毅 |
| 地址： | 710100*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法、具有薄膜的基片及其应用，属于二次电子发射抑制技术领域。所述方法包括：将基片经预真空室传送至反应腔中，给所述反应腔抽真空；向所述反应腔中通入惰性气体，对所述基片进行退火处理；将退火处理后的所述基片退回所述预真空室，采用氨气等离子体和气态钛源对所述反应腔进行若干次洗气循环；将所述基片送回所述反应腔，保持所述反应腔温度为150‑220℃，采用所述氨气等离子体和钛源进行等离子体增强氮化钛原子层沉积反应，得到表面具有氮化钛纳米薄膜的基片。本发明制备的超薄薄膜可控性强、薄膜与基片结合强度高、表面共形性好、在平面及多孔等复杂结构表面均匀性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 制备 氮化 纳米 薄膜 方法 具有 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种在基片表面制备氮化钛纳米薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将基片经预真空室传送至反应腔中，给所述反应腔抽真空；(2)向所述反应腔中通入惰性气体，对所述基片进行退火处理；(3)将退火处理后的所述基片退回所述预真空室，采用氨气等离子体和气态钛源对所述反应腔进行若干次洗气循环；(4)将所述基片送回所述反应腔，保持所述反应腔温度为150‑220℃，采用所述氨气等离子体和钛源进行等离子体增强氮化钛原子层沉积反应，得到表面具有氮化钛纳米薄膜的基片。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
