[发明专利]一种3D NAND存储器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种3D NAND存储器及其制备方法，上述3D NAND存储器包括衬底以及形成在上述衬底上的堆叠层，上述堆叠层包括若干金属栅极层，上述若干金属栅极层沿衬底的厚度方向间隔设置；形成在上述堆叠层中，垂直于上述衬底的若干沟道孔；位于上述沟道孔内的沟道层。本发明所提供的3D NAND的制备方法步骤简单，可操作性强，所制备的3D NAND存储器，栅极的电阻率较低，使得存储器的控制更顺畅，加快了编程和读取的速度。

主权项

1.一种3D NAND存储器，其特征在于，包括：衬底以及形成在所述衬底上的堆叠层，所述堆叠层包括若干金属栅极层，所述若干金属栅极层沿衬底的厚度方向间隔设置；形成在所述堆叠层中，垂直于所述衬底的若干沟道孔；位于所述沟道孔内的沟道层。