[发明专利]存储器系统在审
| 申请号： | 201810293194.7 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108694976A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 安东尼乌斯·马蒂纳斯·杰可布斯·黛安娜 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/102 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种存储器系统，包括：存储器单元。所述存储器单元包括多晶硅熔丝电阻器；以及具有集电极‑发射极沟道和基极端的双极结晶体管。所述双极结晶体管的所述集电极‑发射极沟道与所述多晶硅熔丝电阻器串联连接在电源电压端与接地端之间。所述双极结晶体管的所述基极端被配置成接收晶体管控制信号以选择性地控制通过所述多晶硅熔丝电阻器的电流流动。 | ||
| 搜索关键词： | 双极结晶体管 熔丝电阻器 多晶硅 存储器单元 存储器系统 发射极沟道 集电极 晶体管控制信号 电源电压端 电流流动 基极端 接地端 配置 | ||
【主权项】：
1.一种存储器系统，其特征在于，包括：存储器单元，所述存储器单元包括：多晶硅熔丝电阻器；以及双极结晶体管，所述双极结晶体管具有集电极‑发射极沟道和基极端；其中所述双极结晶体管的所述集电极‑发射极沟道与所述多晶硅熔丝电阻器串联连接在电源电压端与接地端之间；且所述双极结晶体管的所述基极端被配置成接收晶体管控制信号以选择性地控制通过所述多晶硅熔丝电阻器的电流流动。
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