[发明专利]一种去除绕镀的方法在审
| 申请号： | 201810293240.3 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108615789A | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王东;金井升;刘长明;张昕宇;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种去除绕镀的方法，包括：步骤1，对碱制绒后的硅片进行正面硼扩散，形成BSG层；步骤2，对所述硅片进行背面pn结刻蚀后，在所述BSG层表面镀SiON掩膜层；步骤3，将所述硅片置于HF溶液中，去除背面绕镀；步骤4，对所述硅片的背面进行磷扩散，形成PSG层。所述去除绕镀的方法，通过采用SiON掩膜层做掩膜的方法，对正面的BSG层进行保护，使得现有的生产线PECVD设备即可，后期清洗只需要简易的槽式设备，化学试剂为太阳能电池生产常用化学试剂，工艺窗口大，量产型较好，能够完全去除背面绕镀，提高开压和短路电流，提升使得电池的转换效率的同时，不用增加新的设备，增加成本较少。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 硅片 背面 化学试剂 掩膜层 太阳能电池生产 槽式设备 短路电流 工艺窗口 转换效率 表面镀 碱制绒 磷扩散 硼扩散 刻蚀 量产 掩膜 清洗 电池 简易 | ||
【主权项】：
1.一种去除绕镀的方法，其特征在于，包括：步骤1，对碱制绒后的硅片进行正面硼扩散，形成BSG层；步骤2，对所述硅片进行背面pn结刻蚀后，在所述BSG层表面镀SiON掩膜层；步骤3，将所述硅片置于HF溶液中，去除背面绕镀；步骤4，对所述硅片的背面进行磷扩散，形成PSG层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司，未经浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810293240.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
