[发明专利]超宽禁带Zrx 有效
| 申请号： | 201810293770.8 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108396288B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 何云斌;黎明锴;程阳;张腾;卢寅梅;张清风;常钢;李派;陈俊年 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/28;C23C14/24;C23C14/18;H01L31/09 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立;冯瑛琪 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明属于半导体光电材料与器件技术领域，具体涉及一种带隙可调的超宽禁带Zr |
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| 搜索关键词： | 超宽禁带 zr base sub | ||
【主权项】：
1.一种超宽禁带ZrxSn1‑xO2合金半导体外延薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)制备陶瓷靶材，所述陶瓷靶材由陶瓷坯片烧结而成，所述陶瓷坯片包含ZrO2和SnO2；2)采用脉冲激光沉积法将步骤1)得到的陶瓷靶材物质沉积在c面蓝宝石衬底上制备生长外延薄膜，得到超宽禁带ZrxSn1‑xO2合金半导体外延薄膜材料，其中x为0.01～0.99。
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