[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810294223.1 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108447956B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 林智远;吴志浩;张奕;董彬忠;魏柏林;林凡;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。本发明包括衬底以及依次层叠在衬底上的N型半导体结构以及P型半导体结构。通过在P型半导体与N型半导体之间的交界面上设置多个凹陷区域，使得空穴或电子能够更深入地进入到N型半导体或P型半导体中，增大了空穴与电子的复合空间，提高了载流子的复合效率，进而提高了发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次设置在所述衬底上的N型半导体及P型半导体，所述P型半导体与所述N型半导体的交界面包括多个在垂直于衬底的方向上朝向所述衬底凹陷的凹陷区域。
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