[发明专利]一种低温度系数参考电压产生电路及电子装置

摘要

本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种参考电压产生电路。本发明提供的一种低温度系数参考电压产生电路，包括启动电路和带有反馈回路的基准源产生电路。该参考电压产生电路有效地解决了现有技术中基准电压源温度系数高、输出稳定性不够高的问题，在传统基准电压电路的基础上进一步降低了输出电压的温度系数，具有较高的输出精度和稳定性。本发明还提供了一种电子装置，可以显著提高MEMS传感器的感测精度。

主权项

1.一种低温度系数参考电压产生电路，其特征在于，包括启动电路和带有反馈回路的基准源产生电路；所述启动电路包括MOS管P9、P10和电容C1，所述带有反馈回路的基准源产生电路包括MOS管P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8、N1、N2、N3、N4、N5、N6以及电阻R1和三极管Q1，MOS管P9、P10的源极连接电源电压VDD，P9的栅极与漏极相连并连接P10的栅极和电容C1的一端，电容C1的另一端接地；MOS管P5、P6、P7、P8的栅极相连且源极均连接电源电压VDD；P4的源极连接P7的漏极，漏极连接N3、N4的栅极以及N4的漏极，N3、N4的源极均接地；MOS管P1、P2、P3、P4的栅极均相连，P1的栅极与漏极相连并连接N5的漏极，P1的源极连接P5的栅极和漏极；P2的源极连接P6的漏极，漏极连接N5、N6的栅极、N6的漏极以及P10的漏极；N1的漏极连接N5的源极，源极连接N3的漏极；N2的漏极、栅极相连并连接N6的源极以及N1的栅极，N2的源极接地；P3的源极连接P8的漏极，漏极连接电阻R1的一端并作为参考电压VREF的输出端，电阻R1的另一端连接三极管Q1的发射极，三极管Q1的集电极和基极均接地。