[发明专利]石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201810295007.9 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108648853B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 马金鑫;姜浩;徐鑫 | 申请（专利权）人： | 重庆墨希科技有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘文娟 |
| 地址： | 401329 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够实现石墨烯对目标基底附着增强的石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法。该石墨烯附着增强的复合导电结构包括至上而下的CVD石墨烯层、导电高分子层、目标基底；制备方法包括以下步骤：S1、在催化衬底上生成石墨烯层；S2、在石墨烯表面涂覆热塑性树脂Ⅰ，形成过渡支撑层Ⅰ；S3、表面继续涂覆热塑性树脂Ⅱ，形成过渡支撑层Ⅱ；S4、分离催化衬底，得到结构Ⅳ；S5、在目标基底上涂布导电高分子，得到结构Ⅴ；S6、结构Ⅴ从水中湿法捞取结构Ⅳ，S7、去除过渡支撑层Ⅱ；S8、去除过渡支撑层Ⅰ，从而得到复合结构Ⅶ。采用该石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法，保持石墨烯完整不破损，能实现大面积石墨烯完整转移制备。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 附着 制备 导电结构 支撑层 目标基 复合 热塑性树脂 石墨烯层 衬底 去除 催化 大面积石墨烯 导电高分子层 导电高分子 表面涂覆 复合结构 湿法 水中 涂覆 破损 捞取 | ||
【主权项】：
1.石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：/nS1、在催化衬底(100)上生成具有二维连续结构的石墨烯层(101)，得到结构Ⅰ；/nS2、在结构Ⅰ的石墨烯表面涂覆薄而刚硬的热塑性树脂Ⅰ，并烘干成膜，形成保护石墨烯微观结构的过渡支撑层Ⅰ(111)，得到结构Ⅱ；/nS3、在结构Ⅱ表面继续涂覆厚而柔韧的热塑性树脂Ⅱ，并烘干成膜，形成保持膜宏观强度的过渡支撑层Ⅱ(112)，得到结构Ⅲ；/nS4、分离催化衬底(100)，得到依次有CVD石墨烯层、过渡支撑衬底Ⅰ、过渡支撑衬底Ⅱ组成的结构Ⅳ；/nS5、在目标基底(200)上涂布具有长程共轭一维连续环状结构的导电高分子，并烘干成膜(201)，得到结构Ⅴ；/nS6、结构Ⅴ从水中湿法捞取结构Ⅳ，并充分晾干，随着中间水分挥发，产生的毛细管力，使石墨烯层与导电高分子层在微观分子尺度实现充分贴紧，形成强分子间耦合作用，从而实现附着增强，得到从上而下依次为过渡支撑层Ⅱ(112)、过渡支撑层Ⅰ(111)、CVD石墨烯层(101)、附着增强导电高分子层(201)、目标基底(200)的复合结构Ⅵ；/nS7、溶剂Ⅱ溶解去除过渡支撑层Ⅱ；/nS8、溶剂Ⅰ溶解去除过渡支撑层Ⅰ，从而得到CVD石墨烯层(101)/附着增强导电高分子(201)层/目标基底(200)的附着增强且高平整的复合结构Ⅶ。/n
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