[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201810295185.1 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108695323B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 裵德汉;李炯宗;金炫珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L23/528;H10B10/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括鳍型有源图案中的源/漏区、与源/漏区相邻的栅结构以及源/漏区和栅结构上的绝缘层。共享接触插塞穿透绝缘层，并且包括连接到源/漏区的第一下部、连接到栅结构的第二下部以及连接到第一下部和第二下部的上表面的上部。插塞间隔物膜位于第一下部和第二下部中的至少一个与绝缘层之间，并且包括与绝缘层的材料不同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：鳍型有源图案中的源/漏区；与源/漏区相邻的栅结构；源/漏区和栅结构上的绝缘层；穿透绝缘层的共享接触插塞，所述共享接触插塞包括连接到源/漏区的第一下部、连接到栅结构的第二下部以及连接到第一下部和第二下部的上表面的上部；以及插塞间隔物膜，在第一下部和第二下部中的至少一个与绝缘层之间，所述插塞间隔物膜包括与绝缘层的材料不同的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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