[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810297141.2 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108695250A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 北岛裕一郎 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;刘畅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置，其具有熔断元件，该熔断元件配置于半导体衬底上形成的层间绝缘膜上，所述熔断元件由多晶硅和设置在所述多晶硅的上表面的硅化物形成，俯视观察时，所述多晶硅的被包含在激光照射的范围内的区域为未导入杂质的非掺杂多晶硅，从而成为具有不对基底带来损伤而能够利用激光稳定地切断的熔断元件的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 熔断元件 半导体装置 多晶硅 非掺杂多晶硅 层间绝缘膜 俯视观察 激光照射 硅化物 上表面 衬底 基底 半导体 激光 损伤 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：半导体衬底；以及熔断元件，其配置于所述半导体衬底上形成的层间绝缘膜上，所述熔断元件由多晶硅和设置在所述多晶硅的上表面的硅化物形成，俯视观察时，所述多晶硅的被包含在激光照射的范围内的区域为未导入杂质的非掺杂多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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