[发明专利]基于无机钙钛矿的多级阻变存储器及制备方法与应用在审
| 申请号： | 201810297318.9 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108428792A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 韩素婷;王燕;周晔;王展鹏;陈锦锐 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于无机钙钛矿的多级阻变存储器及制备方法与应用，其中，多级阻变存储器从下至上依次包括：基底、透明底电极、CsPbBr3钙钛矿阻变层和顶电极。本发明将CsPbBr3钙钛矿薄膜单独作为阻变层，由于CsPbBr3钙钛矿具有良好的光电特性，可以通过吸收不同波段的光来改变材料高阻态电阻值，使得基于CsPbBr3钙钛矿的多级阻变存储器具有多阻态，测试表明其开关比超过5000，满足大于1000的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变存储器 钙钛矿 无机钙钛矿 阻变层 制备 钙钛矿薄膜 高阻态电阻 改变材料 光电特性 底电极 顶电极 开关比 波段 基底 阻态 应用 测试 透明 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种多级阻变存储器，其特征在于，从下至上依次包括：基底、透明底电极、CsPbBr3钙钛矿阻变层和顶电极。
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