[发明专利]一种Hg2GeSe4非线性光学晶体的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201810297506.1 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN109137081A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 姚吉勇;林哲帅;郭扬武;李壮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B11/00;G02F1/355 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 陈琳琳;张红生 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种Hg2GeSe4非线性光学晶体的制备方法及其应用，所述Hg2GeSe4非线性光学晶体不具备有对称中心，属四方晶系，空间群为I4‑，其晶胞参数为： |
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| 搜索关键词： | 非线性光学晶体 制备 高温熔体自发结晶法 非线性光学器件 坩埚下降法 对称中心 晶胞参数 四方晶系 空间群 可用 应用 制作 | ||
【主权项】：
1.一种Hg2GeSe4非线性光学晶体的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长Hg2GeSe4非线性光学晶体。
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