[发明专利]半导体结构以及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体结构以及其制作方法，该半导体结构的制作方法包括下列步骤，形成多个第一沟槽隔离，且各第一沟槽隔离的至少一部分形成于一基底中。在形成第一沟槽隔离之后，在基底中形成多个第二沟槽隔离。各第一沟槽隔离平行于各第二沟槽隔离。多个第二沟槽隔离中的一个形成于多个第一沟槽隔离中相邻的两个之间，且第一沟槽隔离之间的节距等于第二沟槽隔离之间的节距。半导体结构包括基底、多个第一沟槽隔离以及多个第二沟槽隔离。第一沟槽隔离的材料不同于第二沟槽隔离的材料。

主权项

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：形成多个第一沟槽隔离，其中各该第一沟槽隔离的至少一部分形成于一基底中；以及在形成该多个第一沟槽隔离之后，在该基底中形成多个第二沟槽隔离，其中各该第一沟槽隔离平行于各该第二沟槽隔离，该多个第二沟槽隔离中的一个形成于该多个第一沟槽隔离中相邻的两个之间，且该多个第一沟槽隔离之间的节距等于该多个第二沟槽隔离之间的节距,所述制作方法，还包括：于该基底中形成一第三沟槽隔离，其中该第三沟槽隔离的宽度大于各该第一沟槽隔离的宽度以及各该第二沟槽隔离的宽度，于该基底中形成一第四沟槽隔离，其中该第四沟槽隔离以及该多个第一沟槽隔离是由同一步骤形成，其中该第三沟槽隔离形成于该第四沟槽隔离的一侧，且该第三沟槽隔离直接与该第四沟槽隔离连接。