[发明专利]高压晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201810298006.X | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110323271A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 杨震;马燕春;郭兵;赵晓燕;王刚宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 薛异荣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高压晶体管及其形成方法，其中高压晶体管包括：基底；位于所述基底中的漂移区；位于所述基底中的源端阱区，所述源端阱区和所述漂移区邻接且位于所述漂移区的侧部；位于所述漂移区中的场氧化层；位于部分源端阱区上的栅极结构，且源端阱区上的栅极结构还延伸至部分漂移区和部分场氧化层上；位于所述栅极结构和场氧化层的一侧漂移区中的漏区；位于所述漏区上的漏插塞，所述漏插塞和所述漏区电学连接；位于部分场氧化层上的附加栅极结构，所述附加栅极结构覆盖所述场氧化层中朝向漏区的边缘区域，所述附加栅极结构和所述漏插塞电学连接。所述高压晶体管的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 漂移区 场氧化层 高压晶体管 漏区 源端 阱区 插塞 基底 电学连接 边缘区域 邻接 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种高压晶体管，其特征在于，包括：基底；位于所述基底中的漂移区；位于所述基底中的源端阱区，所述源端阱区和所述漂移区邻接且位于所述漂移区的侧部；位于所述漂移区中的场氧化层；位于部分源端阱区上的栅极结构，且源端阱区上的栅极结构还延伸至部分漂移区和部分场氧化层上；位于所述栅极结构和场氧化层的一侧漂移区中的漏区；位于所述漏区上的漏插塞，所述漏插塞和所述漏区电学连接；位于部分场氧化层上的附加栅极结构，所述附加栅极结构覆盖所述场氧化层中朝向漏区的边缘区域，所述附加栅极结构和所述漏插塞电学连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810298006.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种石墨烯导电薄膜的制备方法及薄膜晶体管
- 下一篇：半导体元件
- 同类专利
- 专利分类
