[发明专利]选择性沉积方法

摘要

本发明提供一种能够在使薄膜选择性地沉积于绝缘膜和导电膜露出的基底上时更有效地进行绝缘膜的选择性沉积的选择性沉积方法。所述选择性沉积方法使薄膜选择性地沉积于绝缘膜和导电膜露出的基底上，所述选择性沉积方法具有：准备具有绝缘膜和导电膜露出的基底的被处理体的工序；以及多次重复第一阶段和第二阶段来使硅系绝缘膜选择性地沉积于所述绝缘膜上，并且此时通过与反应气体之间的反应来使导电膜气化，从而使所述导电膜膜减少的工序，其中，在所述第一阶段中，使氨基硅烷系气体吸附于绝缘膜和导电膜上，在所述第二阶段中，供给用于与吸附的氨基硅烷系气体发生反应来形成硅系绝缘膜的反应气体。

主权项

1.一种选择性沉积方法，用于使薄膜选择性地沉积在露出有绝缘膜和导电膜的基底上，所述选择性沉积方法的特征在于，包括以下工序：准备被处理体，该被处理体具有露出有绝缘膜和导电膜的基底；以及将在所述绝缘膜和所述导电膜上吸附氨基硅烷系气体的第一阶段以及供给用于与所吸附的所述氨基硅烷系气体发生反应来形成硅系绝缘膜的反应气体的第二阶段重复多次，来使硅系绝缘膜选择性地沉积在所述绝缘膜上，并且在此时使所述导电膜通过与所述反应气体之间的反应而气化来使膜减少。