[发明专利]击穿式电熔丝结构及其形成方法、半导体器件

摘要

本发明提供了一种击穿式电熔丝结构及其形成方法、半导体器件。通过在绝缘材料层中定义出击穿区，并使击穿区的边界位于有源区的区域范围内而不与隔离结构的边界接壤，从而可屏除绝缘材料层对应有源区边界的部分发生击穿的可能性，进而可避免由于有源区的边界缺陷而导致编程电压不稳定的问题。如此，不仅可提高击穿式电熔丝结构的编程电压的稳定性，并且由于击穿区中的绝缘材料层具备均匀品质，从而可被均匀击穿，因此可相应的提供一均匀的电流流通通道。

主权项

1.一种击穿式电熔丝结构，其特征在于，包括：一衬底，所述衬底中形成有一隔离结构，所述隔离结构围绕出一有源区在所述衬底中，所述隔离结构覆盖所述有源区的侧面；一绝缘材料层，形成在所述衬底上，所述绝缘材料层覆盖所述有源区的顶面并延伸覆盖所述隔离结构在所述有源区周边的区域，并且所述绝缘材料层对应所述有源区的区域中定义有一击穿区，所述击穿区的边界位于所述有源区的区域范围内而未与所述隔离结构的边界接壤，所述绝缘材料层在所述击穿区内具有一电熔丝击穿厚度，所述电熔丝击穿厚度小于所述绝缘材料层在所述击穿区外的周边厚度，用于在编程过程中被击穿；以及，一导电材料层，形成在所述绝缘材料层上并覆盖所述绝缘材料层的所述击穿区；其中，所述有源区还具有不与所述导电材料层重迭覆盖的接触区。