[发明专利]太阳能电池钝化膜与背面钝化太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201810304090.1 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108470778A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 王学孟;刘宗涛;吴伟梁;包杰 | 申请（专利权）人： | 顺德中山大学太阳能研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 宋南 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太阳能电池钝化膜与背面钝化太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该太阳能电池钝化膜包括依次设置的高功函数半导体材料层和氮化硅层，所述高功函数半导体材料层用于与电池基体接触。利用该太阳能电池钝化膜能够缓解现有技术的局部接触太阳能电池中Al2O3钝化膜制备工艺难度大和成本高的技术问题，达到了降低工艺难度和成本的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 钝化膜 半导体材料层 背面钝化 高功函数 制备 太阳能电池技术 氮化硅层 工艺难度 基体接触 局部接触 依次设置 制备工艺 电池 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池钝化膜，其特征在于，包括依次设置的高功函数半导体材料层和氮化硅层，所述高功函数半导体材料层用于与电池基体接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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