[发明专利]一种铝掺杂半导体量子棒及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201810305087.1 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN108329913A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 孙小卫;王恺;周劭臣;刘皓宸 | 申请（专利权）人： | 深圳扑浪创新科技有限公司;南方科技大学 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区布吉街道甘李*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铝掺杂半导体量子棒及其制备方法和用途，所述铝掺杂半导体量子棒具有核壳结构，核为CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、CdTe、CuInS、InP、CuZnSe或ZnMnSe中的任意一种或至少两种的混合物，壳层为Al掺杂的壳基材，所述壳基材为CdS、ZnO、ZnS、ZnSe或ZnTe中的任意一种或至少两种的混合物。本发明不改变核材料的结构和组成，而是铝原子融入量子棒壳材料的晶格中，在量子棒表面形成一层钝化层，提高量子棒的光稳定性，不仅稳定性更高，而且不易引起猝灭。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体量子 铝掺杂 量子 混合物 壳基 制备 棒壳材料 光稳定性 核壳结构 棒表面 掺杂的 钝化层 核材料 铝原子 晶格 壳层 猝灭 融入 | ||
【主权项】：
1.一种铝掺杂半导体量子棒，其特征在于，所述铝掺杂半导体量子棒具有核壳结构，核为CdSe、CdTe、CdS、ZnSe、CdTe、CuInS、InP、CuZnSe或ZnMnSe中的任意一种或至少两种的混合物，壳层为Al掺杂的壳基材，所述壳基材为CdS、ZnO、ZnS、ZnSe或ZnTe中的任意一种或至少两种的混合物。
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