[发明专利]基于金属表面等离子诱导双波段响应的光电探测器及制备方法有效

专利信息
申请号: 201810305675.5 申请日: 2018-04-08
公开(公告)号: CN108565301B 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 胡平安;戴明金;陈洪宇 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: H01L31/0272 分类号: H01L31/0272;H01L31/101;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种基于金属表面等离子诱导双波段响应的光电探测器及制备方法,属于传感器技术领域。本发明探测器包括:衬底,硒化铟纳米片,金纳米阵列和两个金属电极。本发明中所用的光敏感材料为硒化铟,目前硒化铟基光电探测器的工作范围大多集中在紫外波段,其响应度从可见光波段开始严重衰减,使其在长波段无法正常工作。针对此问题,本发明中采用金属表面等离子体共振诱导的方法提高了硒化铟光电探测器在可见光区的量子效率,进而实现了其在紫外‑可见‑近红外的宽谱范围内具有双波段的探测功能。此外,这种新型双波段探测器具有结构简单、尺寸小、易于耦合焦平面读出电路等特点,有益于下一代多功能、多变量检测光探测器的开发。
搜索关键词: 基于 金属表面 等离子 诱导 波段 响应 光电 探测器 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于金属表面等离子诱导双波段响应的光电探测器,其特征在于,包括:衬底、硒化铟半导体纳米片、金纳米阵列、两个金属电极。其中,衬底提供支撑;两个金属电极的厚度为20~50nm,间距为3~10μm,两个金属电极直接接触硒化铟半导体纳米片的两端;硒化铟半导体纳米片厚度为20~50nm;金纳米阵列在硒化铟半导体纳米片的上表面,通过金属表面等离子共振诱导硒化铟光电探测器在可见光区有较高的响应和灵敏度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810305675.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top