[发明专利]基于金属表面等离子诱导双波段响应的光电探测器及制备方法有效
申请号: | 201810305675.5 | 申请日: | 2018-04-08 |
公开(公告)号: | CN108565301B | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 胡平安;戴明金;陈洪宇 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H01L31/0272 | 分类号: | H01L31/0272;H01L31/101;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于金属表面等离子诱导双波段响应的光电探测器及制备方法,属于传感器技术领域。本发明探测器包括:衬底,硒化铟纳米片,金纳米阵列和两个金属电极。本发明中所用的光敏感材料为硒化铟,目前硒化铟基光电探测器的工作范围大多集中在紫外波段,其响应度从可见光波段开始严重衰减,使其在长波段无法正常工作。针对此问题,本发明中采用金属表面等离子体共振诱导的方法提高了硒化铟光电探测器在可见光区的量子效率,进而实现了其在紫外‑可见‑近红外的宽谱范围内具有双波段的探测功能。此外,这种新型双波段探测器具有结构简单、尺寸小、易于耦合焦平面读出电路等特点,有益于下一代多功能、多变量检测光探测器的开发。 | ||
搜索关键词: | 基于 金属表面 等离子 诱导 波段 响应 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于金属表面等离子诱导双波段响应的光电探测器,其特征在于,包括:衬底、硒化铟半导体纳米片、金纳米阵列、两个金属电极。其中,衬底提供支撑;两个金属电极的厚度为20~50nm,间距为3~10μm,两个金属电极直接接触硒化铟半导体纳米片的两端;硒化铟半导体纳米片厚度为20~50nm;金纳米阵列在硒化铟半导体纳米片的上表面,通过金属表面等离子共振诱导硒化铟光电探测器在可见光区有较高的响应和灵敏度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的