[发明专利]一种HJT电池钝化工艺

摘要

本发明公开了一种HJT电池钝化工艺。包括以下步骤：A、先将N型单晶硅片进行制绒清洗，制绒清洗后绒面大小为3‑10um，反射率为11%‑13%；B、采用PECVD工艺利用纯硅烷作为前驱物进行i膜层沉积；C、利用H2稀释硅烷进行i膜层成膜，然后对两层膜层进行双层钝化；D、用硅烷作为前驱物，乙硼烷掺杂用于制备p‑a‑Si：H膜层；E、利用PVD/RPD工艺在p‑a‑Si:H膜层上沉积TCO导电膜；F、利用丝网印刷技术进行金属化，形成金属电极。该工艺方法大大优化了非晶硅钝化膜层带隙，有效降低了界面处缺陷态密度，增强了钝化效果，另外，尤其对于RF射频电源设备，采用该方法，等离子体对表面轰击能量较少，从而可以降低对硅片表面损伤。

主权项

1.一种HJT电池钝化工艺，包括以下步骤：A、先将N型单晶硅片（1）进行制绒清洗，制绒清洗后绒面大小为3‑10um，反射率为11%‑13%；B、采用PECVD工艺利用纯硅烷作为前驱物进行i膜层（2）沉积，沉积速率控制在3‑5埃/s，i膜层的厚度为3‑5nm；C、利用H2稀释硅烷进行i膜层成膜，沉积速率控制在1‑3埃/s，i膜层（3）的厚度为2‑4nm，然后对两层膜层进行双层钝化；D、用硅烷作为前驱物，乙硼烷掺杂用于制备p‑a‑Si：H膜层（4），沉积速率控制在3‑5埃/s，其厚度为7‑10nm；E、利用PVD/RPD工艺在p‑a‑Si:H膜层（4）上沉积TCO导电膜（5），导电膜的厚度为100‑120nm，方阻40‑50Ω/口；F、利用丝网印刷技术进行金属化，形成金属电极。