[发明专利]碳化硅功率器件终端结构的制造方法有效
| 申请号： | 201810307901.3 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN108447896B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 颜世桃;郑渚;杨彬;李程;丁庆 | 申请（专利权）人： | 深圳市太赫兹科技创新研究院;华讯方舟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518102 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅功率器件终端结构的制造方法，所述方法包括：提供制备有主结的碳化硅衬底；于所述碳化硅衬底中形成临近所述主结的第一掺杂区；在所述第一掺杂区中形成沿远离所述主结的方向离子浓度依次递增的第一渐变区；基于同一结终端窗口，对所述第一渐变区同时进行反类型离子注入，形成沿远离所述主结的方向上离子浓度依次递减的第二渐变区；其中，所述碳化硅衬底、所述第一掺杂区和所述第一渐变区中掺杂的离子类型为第一导电类型，所述主结和所述第二渐变区中掺杂的离子类型为第二导电类型。上述方法工艺简单，且通过此方法制备的碳化硅功率器件终端结构不易发生电场集中。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 功率 器件 终端 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅功率器件终端结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供制备有主结的碳化硅衬底；于所述碳化硅衬底中形成临近所述主结的第一掺杂区；在所述第一掺杂区中形成沿远离所述主结的方向离子浓度依次递增的第一渐变区；基于同一结终端窗口，对所述第一渐变区同时进行反类型离子注入，以形成沿远离所述主结的方向上离子浓度依次递减的第二渐变区；其中，所述碳化硅衬底、所述第一掺杂区和所述第一渐变区中掺杂的离子类型为第一导电类型，所述主结和所述第二渐变区中掺杂的离子类型为第二导电类型。
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