[发明专利]一种低g值双缝干涉式MEMS微重力测量装置有效
| 申请号： | 201810308015.2 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN108845364B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 韦学勇;张宏才;蒋康力;赵玉龙;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01V7/00 | 分类号： | G01V7/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种低g值双缝干涉式MEMS微重力测量装置，包括底座，底座的一侧凸台连接有敏感元件和CCD探测器，另一侧凸台连接有光源；敏感元件为一体加工而成，包括质量块及其外部的框架，质量块的上端两侧分别通过一根弹簧和框架连接，质量块的下端一侧通过一根弹簧和框架连接，质量块上设置有两条平行的双缝，框架上的限位挡块和质量块的上下两端配合，弹簧采用反弹簧结构；敏感元件实现低通滤波及放大振动的功能，提高了检测系统的灵敏度，测得的灵敏度能够比相同几何参数的其他类型MEMS传感器提高一个数量级，使用双缝干涉技术与MEMS工艺相结合，既保证了MEMS工艺下尺寸小，加工精度高的特点，同时也实现了无接触测量、高分辨率的光电检测方式。 | ||
| 搜索关键词： | 质量块 双缝 敏感元件 弹簧 微重力测量 框架连接 干涉式 灵敏度 凸台 底座 高分辨率 光电检测 几何参数 检测系统 接触测量 上下两端 限位挡块 一体加工 上端 反弹簧 低通 下端 光源 平行 放大 干涉 外部 加工 配合 保证 | ||
【主权项】：
1.一种低g值双缝干涉式MEMS微重力测量装置，包括底座(4)，其特征在于：底座(4)的一侧凸台连接有敏感元件(2)和CCD探测器(3)，另一侧凸台连接有光源(1)；所述底座(4)为整块玻璃加工而成，底座(4)一侧凸台设有CCD探测器槽(13)和敏感元件槽(11)，有CCD探测器槽(13)和敏感元件槽(11)通过通光孔(12)连通，CCD探测器槽(13)外设有探测器限位挡块(14)，CCD探测器槽(13)内安装有CCD探测器(3)，敏感元件槽(11)内键合安装有敏感元件(2)；底座(4)另一侧凸台设有光源孔(10)，光源孔(10)内安装有光源(1)；所述敏感元件(2)为一体加工而成，包括质量块(7)及其外部的框架(9)，质量块(7)的上端两侧分别通过一根弹簧(6)和框架(9)连接，质量块(7)的下端一侧通过一根弹簧(6)和框架(9)连接，质量块(7)上设置有两条平行的双缝(8)，框架(9)上的限位挡块(5)和质量块(7)的上下两端配合，形成Z、Y方向挡块，Z方向为低g值双缝干涉式MEMS微重力测量装置敏感轴方向；所述的CCD探测器(3)中轴线与敏感元件(2)的双缝(8)重合，同时与光源(1)中轴线重合。
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