[发明专利]有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法在审
| 申请号： | 201810308231.7 | 申请日： | 2013-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN108558926A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 萧满超;雷新建;D·P·斯彭斯;H·钱德拉;韩冰;M·L·奥内尔;S·G·玛约加;A·玛利卡尔朱南 | 申请（专利权）人： | 弗萨姆材料美国有限责任公司 |
| 主分类号： | C07F7/02 | 分类号： | C07F7/02;C23C16/34;C23C16/36;C23C16/40;C23C16/455;C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴亦华;徐一琨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： |
本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面，提供式I的前体： |
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| 搜索关键词： | 直链或支链 前体 芳基 烷基 二烷基氨基 吸电子基团 炔基 烯基 薄膜沉积 氟化烷基 含硅薄膜 有机氨基 芳族环 乙硅烷 脂族环 | ||
【主权项】：
1.包含Si‑N键、Si‑Si键和Si‑H3基团的有机氨基乙硅烷前体，由下式I表示：![]()
其中R1选自直链或支链C3‑C10烷基、直链或支链C3‑C10烯基、直链或支链C3‑C10炔基、C1‑C6二烷基氨基、吸电子基团和C6‑C10芳基；R2选自氢、直链或支链C1‑C10烷基、直链或支链C3‑C6烯基、直链或支链C3‑C6炔基、C1‑C6二烷基氨基、C6‑C10芳基、直链或支链C1‑C6氟化烷基、吸电子基团和C4‑C10芳基；任选地其中R1和R2连接在一起以形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环；且n＝1或2。
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