[发明专利]光电二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201810308997.5 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108470785A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 柯天麒;刘少东 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/103;H01L31/18;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电二极管及其制作方法，所述光电二极管包括：半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有规则排布的凸块和凹面；第一掺杂区，包括所述凸块以及与所述凸块邻接的凹面；第二掺杂区，覆盖所述第一掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂类型相反。所述光电二极管还包括覆盖所述第二掺杂区的介质层。所述的光电二极管应用于CMOS图像传感器，改进了量子转换效率，提高了CMOS图像传感器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 光电二极管 凸块 凹面 衬底 半导体 量子转换效率 掺杂类型 规则排布 介质层 邻接 覆盖 制作 应用 改进 | ||
【主权项】：
1.一种光电二极管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有规则排布的凸块和凹面；第一掺杂区，包括所述凸块以及与所述凸块邻接的凹面；第二掺杂区，覆盖所述第一掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂类型相反。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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