[发明专利]适用于GaN高速栅驱动电路的浮动电源轨有效

专利信息
申请号: 201810309410.2 申请日: 2018-04-09
公开(公告)号: CN108494234B 公开(公告)日: 2020-05-01
发明(设计)人: 明鑫;张宣;范子威;秦尧;胡黎;潘溯;张春奇;王卓;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H03K17/081;H03K17/687
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 适用于GaN高速栅驱动电路的浮动电源轨,属于电源管理技术领域。本发明采用双浮动电源轨的设计,能够实现同时满足GaN功率开关器件在安全电压内工作和低压转高压电平位移电路拥有足够的动态范围的浮动电源轨;高压转低压电平位移电路、电压钳位电路、逻辑控制电路和第一浮动电源轨产生电路构成闭环,用于产生第一电源轨BST作为GaN高速栅驱动电路中的缓冲电路的电源轨,能够保护GaN功率开关器件栅源电压工作在安全范围内;第二浮动电源轨产生电路构成开环,用于产生第二电源轨BSTA作为GaN高速栅驱动电路中的低压转高压电平位移电路的电源轨,能够保证其具有足够的动态范围。
搜索关键词: 适用于 gan 高速 驱动 电路 浮动 电源
【主权项】:
1.适用于GaN高速栅驱动电路的浮动电源轨,其特征在于,包括高压转低压电平位移电路、电压钳位电路、逻辑控制电路、第一浮动电源轨产生电路和第二浮动电源轨产生电路,所述第二浮动电源轨产生电路包括第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和自举电容(Cboot),第一二极管(D1)的阳极连接电源电压(VDD),其阴极连接第二二极管(D2)的阴极并产生第二浮动电源轨(BSTA);自举电容(Cboot)的上极板连接第二二极管(D2)的阳极以及所述第一浮动电源轨产生电路的输出端,其下极板连接所述GaN高速栅驱动电路的半桥开关节点(SW);所述电压钳位电路的两个输入端分别连接所述自举电容(Cboot)的上极板和下极板,用于检测所述自举电容(Cboot)的上下极板电压差并输出第一控制信号(Ctrl1)至所述高压转低压电平位移电路的输入端;所述高压转低压电平位移电路将所述第一控制信号(Ctrl1)转至低压电源轨,输出第一逻辑控制信号(LV1)和第二逻辑控制信号(LV2)并连接所述逻辑控制电路的两个输入端;所述逻辑控制电路根据所述第一逻辑控制信号(LV1)和第二逻辑控制信号(LV2)产生第二控制信号(Ctrl2)并连接所述第一浮动电源轨产生电路的输入端;所述第一浮动电源轨产生电路用于产生第一浮动电源轨(BST)。
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