[发明专利]一种光刻胶膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810309866.9 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108735582A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 李海燕;曹海娜;刘佳星 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 张然 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻胶膜的制备方法，该方法包括：在基片上进行一次涂胶，形成第一层光刻胶膜；对第一层光刻胶膜进行全曝光；在第一层光刻胶膜上进行二次涂胶，形成第二层光刻胶膜；根据光刻图形对第二层光刻胶膜进行部分曝光；对第一层光刻胶膜和第二层光刻胶膜同时进行显影。本发明在原有第一层光刻胶膜的基础上，使用同样的工艺进行第二层光刻胶膜的制作，不需要选定特定属性的光刻胶，不存在新材料的购买、开发问题，仅增加工艺步骤，开发难度较低，且适用性强，解决了现有技术中制造类倒梯形光刻胶膜的方法可能存在的制作成本较高、工艺难度较大，甚至可能影响操作人员安全或导致器件性能下降等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶膜 第一层 涂胶 制备 工艺步骤 工艺难度 光刻图形 器件性能 人员安全 倒梯形 光刻胶 曝光 显影 制作 开发 购买 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶膜的制备方法，其特征在于，包括：在基片上进行一次涂胶，形成第一层光刻胶膜；对所述第一层光刻胶膜进行全曝光；在所述第一层光刻胶膜上进行二次涂胶，形成第二层光刻胶膜；根据光刻图形对所述第二层光刻胶膜进行部分曝光；对所述第一层光刻胶膜和所述第二层光刻胶膜同时进行显影。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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