[发明专利]高密度集成封装的射频微系统在审
| 申请号： | 201810309873.9 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108598045A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 陈雪平;王志宇;张勋;朱丹丹;康弘毅 | 申请（专利权）人： | 浙江铖昌科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了高密度集成封装的射频微系统，包括第一晶片层、第二晶片层、第三晶片层、第四晶片层，第一晶片层、第二晶片层、第三晶片层、第四晶片层，采用围坝结构做低温晶圆级键合堆叠在一起，并通过晶片内垂直通孔实现芯片间的上下互连，形成高密度集成封装的射频微系统模块；本发明用围坝结构把射频芯片直接堆叠在一起进行三维集成，可以实现气密性封装，减小了射频微系统的体积，减轻了射频微系统的重量，提高了射频微系统的封装密度，降低了互连线的传输损耗，增强了射频微系统的性能；而且，晶圆级键合封装，可以同时批次性封装很多产品，提高了生产效率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片层 微系统 射频 封装 高密度集成 晶圆级 堆叠 键合 围坝 气密性封装 传输损耗 垂直通孔 三维集成 射频芯片 生产效率 互连线 互连 减小 晶片 生产成本 芯片 | ||
【主权项】：
1.高密度集成封装的射频微系统，其特征在于，包括第一晶片层、第二晶片层、第三晶片层、第四晶片层；第一晶片层上设有天线芯片，第二晶片层上设有射频功放和/或低噪功能的芯片，第三晶片层上设有射频信号控制芯片，第四晶片层上设有电源芯片；第一晶片层、第二晶片层、第三晶片层、第四晶片层上均设有金属围坝。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江铖昌科技有限公司，未经浙江铖昌科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810309873.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：塑封方法及采用该塑封方法制备的封装体
- 下一篇：芯片的封装结构及其封装方法
