[发明专利]一种石墨烯红外传感器结构有效
申请号: | 201810310240.X | 申请日: | 2018-04-09 |
公开(公告)号: | CN108550650B | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 康晓旭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09 |
代理公司: | 31275 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 吴世华;尹一凡 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯红外传感器结构,包括:并列设置的石墨烯上电极和石墨烯下电极,石墨烯上电极和石墨烯下电极之间设有铁电材料层;其中,通过铁电材料层剩余极化对其上下表面的石墨烯上电极和石墨烯下电极内载流子密度产生的相反影响,以形成差分信号,从而增强对红外信号的探测灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 石墨烯 电极 下电极 红外传感器 铁电材料层 载流子 探测灵敏度 并列设置 差分信号 红外信号 上下表面 剩余极化 | ||
【主权项】:
1.一种石墨烯红外传感器结构,其特征在于,包括:/n并列设置的石墨烯上电极和石墨烯下电极,所述石墨烯上电极和石墨烯下电极之间设有铁电材料层,所述石墨烯上电极两端分设有第一金属电极,所述石墨烯下电极两端分设有第二金属电极;其中,通过铁电材料层剩余极化对其上下表面的石墨烯上电极和石墨烯下电极内载流子密度产生相反影响,形成差分信号。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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