[发明专利]磁性多层膜结构、磁存储器、自旋逻辑器件和电子设备有效
| 申请号： | 201810310401.5 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108470826B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 韩秀峰;王潇;万蔡华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/08;H01L29/66;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁性多层膜结构、磁存储器、自旋逻辑器件和电子设备。根据一实施例，一种磁性多层膜结构包括：参考磁层，其具有固定的磁矩；自由磁层，其具有自由翻转的磁矩；以及非磁间隔层，其位于所述参考磁层和所述自由磁层之间，其中，所述自由磁层由铁磁金属与自旋霍尔效应(SHE)金属的合金形成，且其中，所述自由磁层配置为接收面内电流以翻转所述自由磁层的磁矩。所述磁性多层膜结构还包括在自由磁层的与非磁间隔层相反一侧的反铁磁偏置层，或沿与面内电流垂直的方向延伸的电流布线。在该磁性多层膜结构中，可以直接通过向自由磁层施加面内电流来翻转自由磁层的磁矩，因此大大简化了结构和翻转过程。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 多层 膜结构 磁存储器 自旋 逻辑 器件 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种磁性多层膜结构，包括：参考磁层，其具有固定的磁矩；自由磁层，其具有自由翻转的磁矩；以及非磁间隔层，其位于所述参考磁层和所述自由磁层之间，其中，所述自由磁层由铁磁金属与自旋霍尔效应(SHE)金属的合金形成，且其中，所述自由磁层配置为接收面内电流以翻转所述自由磁层的磁矩。
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