[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201810310958.9 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN108365000A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 中野佑纪;中村亮太 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/20;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;郑冀之 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部；以及表面绝缘膜，以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，形成为在所述单元部比在所述外周部的部分薄。 | ||
| 搜索关键词： | 单元部 外周部 半导体装置 表面绝缘膜 半导体层 方式配置 导电型 横跨 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中具有：半导体衬底；在俯视中在所述半导体衬底的中央的单元部；在俯视中包围所述单元部那样的外周部；在所述单元部形成的多个栅极沟槽；以埋入所述多个栅极沟槽的方式形成的多个栅极电极；以及表面绝缘膜，以在所述单元部以第一厚度覆盖所述多个栅极电极、且在所述外周部以第二厚度覆盖所述半导体衬底的方式形成。
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