[发明专利]基于单晶压电薄膜的声波谐振器及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于单晶压电薄膜的声波谐振器及其制备方法，包括：1）提供单晶压电衬底；2）自注入面向单晶压电衬底内进行离子注入后于注入面形成图形化下电极，或在注入面形成均匀下电极，自均匀下电极面向单晶压电衬底内进行离子注入后将均匀下电极图形化形成图形化下电极；3）在图形化下电极面形成预设厚度的第一低声阻材料层；4）提供表面设有预设厚度的第二低声阻材料层的支撑衬底，将步骤3）得到的结构与支撑衬底键合；5）沿缺陷层剥离部分单晶压电衬底，以得到单晶压电薄膜；6）在单晶压电薄膜远离支撑衬底的表面形成图形化上电极。本发明避免了空气腔谐振结构，机械性能稳定，保持极大的机电耦合系数，可以提高滤波器的工作带宽。

主权项

1.一种基于单晶压电薄膜的声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述基于单晶压电薄膜的声波谐振器的制备方法至少包括以下步骤：1)提供单晶压电衬底，所述单晶压电衬底的一面为注入面；2)自所述注入面向所述单晶压电衬底内进行离子注入后于所述注入面形成图形化下电极，或在所述注入面形成均匀下电极，并自所述均匀下电极面向单晶压电衬底内进行离子注入后将均匀下电极图形化以形成图形化下电极；离子注入的能量足以使注入离子到达所述单晶压电衬底内的预设深度，并在所述预设深度处形成缺陷层；3)在步骤2)得到的所述图形化下电极面形成预设厚度的第一低声阻材料层，所述图形化下电极陷入所述第一低声阻材料层中以被所述第一低声阻材料层包覆；4)提供一表面设有预设厚度的第二低声阻材料层的支撑衬底，其中，所述第二低声阻材料层的材料与所述第一低声阻材料层的材料相同，将步骤3)得到的结构与所述支撑衬底键合，且所述第一低声阻材料层远离单晶压电衬底的表面及所述第二低声阻材料层远离所述支撑衬底的表面为键合面；5)沿所述缺陷层剥离部分所述单晶压电衬底，以得到单晶压电薄膜，并使得到的所述单晶压电薄膜及所述图形化下电极转移至所述支撑衬底上；6)在所述单晶压电薄膜远离所述支撑衬底的表面形成图形化上电极。