[发明专利]用于电路辐射效应仿真的辐射模型嵌入方法及仿真方法在审
| 申请号： | 201810311857.3 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108536959A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 陈静;许灵达;柴展;王硕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于电路辐射效应仿真的辐射模型嵌入方法及仿真方法，包括：获取标准MOS商用静态模型文件；获取建立好的MOS总剂量辐射模型，将所述MOS总剂量辐射模型转换为受控辐射电压源模型及受控侧壁晶体管辐射电流源模型；将所述受控辐射电压源模型及所述受控侧壁晶体管辐射电流源模型的子电路写入所述标准MOS商用静态模型文件中，以构建MOS总剂量辐射模型的电路拓扑结构；将所述MOS总剂量辐射模型以子电路的形式嵌入所述标准MOS商用静态模型文件中，以形成含辐射效应的MOS模型；调用所述含辐射效应的MOS模型进行电路辐射效应仿真。本发明简化了辐射仿真过程，方便电路设计人员直接调用，且适用于Hspice和Spectre仿真器，普适性高。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 总剂量辐射 受控 静态模型 商用 嵌入 电流源模型 电路 电压源 子电路 晶体管 侧壁 电路拓扑结构 电路设计 仿真过程 模型转换 直接调用 仿真器 普适性 调用 构建 写入 | ||
【主权项】：
1.一种用于电路辐射效应仿真的辐射模型嵌入方法，其特征在于，所述用于电路辐射效应仿真的辐射模型嵌入方法至少包括：获取标准MOS商用静态模型文件；获取建立好的MOS总剂量辐射模型，将所述MOS总剂量辐射模型转换为受控辐射电压源模型及受控侧壁晶体管辐射电流源模型；将所述受控辐射电压源模型及所述受控侧壁晶体管辐射电流源模型的子电路写入所述标准MOS商用静态模型文件中，以构建MOS总剂量辐射模型的电路拓扑结构；将所述MOS总剂量辐射模型以子电路的形式嵌入所述标准MOS商用静态模型文件中，以形成含辐射效应的MOS模型。
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