[发明专利]带有改良FOM的可扩展的SGT结构有效
| 申请号： | 201810312048.4 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108807548B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 马督儿·博德;雷燮光 | 申请（专利权）人： | 万国半导体（开曼）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 英属西印度群岛，开曼群岛，大开曼岛KY1*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 带有改良FOM的可扩展的SGT结构。一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管包括一个在衬底上方的外延层、一个本体区、一个形成在本体区和外延层中的沟槽，以及一个或多个源极区，形成在本体区的顶面中以及沟槽侧壁附近。屏蔽电极形成在沟槽底部，栅极电极形成在屏蔽电极上方的沟槽顶部。通过第一电介质层，屏蔽电极与外延层绝缘。通过第一电介质层，栅极电极与外延层绝缘，通过第二电介质层，栅极电极与第二电介质层绝缘。第一和第二电介质层具有相同的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 改良 fom 扩展 sgt 结构 | ||
【主权项】：
1.一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管，包括：a)一个第一导电类型的衬底；b)一个第一导电类型的外延层，位于衬底上方；c)一个与第一导电类型相反的第二导电类型的本体区，形成在外延层上方；d)一个形成在本体区和外延层中的沟槽，其中沟槽内衬第一电介质层；e)一个屏蔽电极，形成在沟槽底部，其中通过第一电介质层，屏蔽电极与外延层绝缘；f)一个栅极电极，形成在屏蔽电极上方的沟槽顶部，其中通过第一电介质层，栅极电极与外延层绝缘，通过第二电介质层，栅极电极与屏蔽电极绝缘，其中第一和第二电介质层具有相同的厚度；以及g)一个或多个第一导电类型的源极区，形成在本体区顶面中，其中每个源极区都邻近沟槽的侧壁。
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