[发明专利]旋转位置传感器有效
申请号: | 201810312096.3 | 申请日: | 2018-04-09 |
公开(公告)号: | CN108692652B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | P·范德斯蒂根 | 申请(专利权)人: | 迈来芯电子科技有限公司 |
主分类号: | G01B7/30 | 分类号: | G01B7/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 姬利永;黄嵩泉 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及旋转位置传感器(1)。该旋转位置传感器包括用于生成指示至少两个不同阶的磁场的两个独立信号的磁性传感器(2),以及在该磁传感器的位置处形成具有第一阶的第一磁场分量的磁组件(3、4),其中该第一磁场分量通过接收第一角度相对于该磁传感器可旋转。该磁组件还适用于在该磁传感器的位置处形成具有与第一阶不同的第二阶的第二磁场分量,其中第二磁场分量通过接收第二角度相对于该磁传感器以及该第一磁组件可旋转。该位置传感器包括用于组合两个独立信号以产生代表第一角度和第二角度的独特系统状态的处理器(5)。 | ||
搜索关键词: | 旋转 位置 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种旋转位置传感器(1),所述旋转位置传感器包括:‑磁传感器(2),用于检测磁场的多极展开的两个不同阶并且生成指示所述多极展开的所述两个不同阶的两个独立信号;‑磁组件(3、4),用于在所述磁传感器的位置处形成具有第一多极阶的第一磁场分量,所述第一多极阶对应于由所述磁传感器可检测的所述多极展开的所述两个不同阶中的一个阶,所述第一磁场分量相对于所述磁传感器在第一角度上是可旋转的,所述磁组件适用于在所述磁传感器的位置处形成具有第二多极阶的第二磁场分量,所述第二多极阶与所述第一多极阶不同并且对应于由所述磁传感器可检测的所述多极展开的所述两个不同阶中的另一个阶,所述第二磁场分量相对于所述磁传感器并且相对于所述第一磁场分量在第二角度上是可旋转的;‑处理器(5),用于接收所述两个独立信号并用于组合它们以产生代表所述第一角度和所述第二角度的独特系统状态。
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