[发明专利]紧凑源极镇流器MOSFET及其制备方法在审
| 申请号： | 201810312715.9 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108807539A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 雷燮光;马督儿·博德;潘继 | 申请（专利权）人： | 万国半导体（开曼）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 英属西印度群岛开曼群岛大开曼岛KY1*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括一个第一导电类型的衬底，一个第二导电类型的本体区，一个形成在栅极沟槽中的栅极电极，在本体区和衬底中延伸，一个轻掺杂源极区和一个形成在本体区中的重掺杂源极区，以及一个延伸到本体区的源极接头形成在栅极沟槽附近的源极接触沟槽中。轻掺杂源极区延伸到本体区中比重掺杂源极区更深处。轻掺杂源极区在源极接触沟槽附近。镇流电阻器形成在轻掺杂源极区中，在重掺杂源极区和本体区之间，以及一个肖特基二极管形成在源极接头和轻掺杂源极区之间的接头处。 | ||
| 搜索关键词： | 轻掺杂源极区 重掺杂源极 源极接触 源极接头 栅极沟槽 衬底 延伸 镇流器 半导体场效应晶体管 第一导电类型 肖特基二极管 掺杂源极区 镇流电阻器 导电类型 沟槽金属 栅极电极 接头处 紧凑源 氧化物 制备 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，包括：a)一个第一导电类型的衬底，衬底包括一个第一导电类型的外延层，位于相同导电类型的重掺杂硅晶圆上方；b)一个第二导电类型的本体区，形成在衬底的上方，第二导电类型与第一导电类型相反；c)一个栅极沟槽，形成在本体区和衬底中，其中栅极沟槽内衬电介质层，一个栅极电极形成在栅极沟槽中；d)一个轻掺杂源极区和一个重掺杂源极区，形成在本体区中，其中轻掺杂源极区延伸到本体区中比重掺杂源极区更深处；以及e)一个延伸到本体区的源极接头，形成在栅极沟槽附近的源极接触沟槽中，其中轻掺杂源极区在源极接触沟槽附近，其中肖特基二极管形成在源极接头和轻掺杂源极区之间的接头处。
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